文献

J-GLOBAL ID：201702229066567477   整理番号：17A1771133

CuInS_2ミクロスフェア薄膜の階層構造:CdとVドーピングによる横方向に整列した結晶面の成長を変化させる【Powered by NICT】

Hierarchical architecture of CuInS₂ microsphere thin films: altering laterally aligned crystallographic plane growth by Cd and V doping

著者 (6件)： Thirumalaisamy Logu (Aerosol and Air Quality Research Laboratory, Department of Energy, Environmental and Chemical Engineering, Washington University in St. Louis, St. Louis, Missouri 63130, USA. [e-mail]) ,  Raliya Ramesh ,  Kavadiya Shalinee ,  Palanivel Soundarrajan ,  Sethuraman Kunjithapatham ,  Biswas Pratim
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 44  ページ： 6602-6611  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 湿式化学法による噴霧被覆したシード層上に成長させた純粋およびカドミウム(Cd)とバナジウム(V)をドープした二硫化銅インジウム(CuInS_2(CIS))ミクロスフェア薄膜の階層構造を実証した。最初に,自己組織化多孔性(NFSAP)-CISミクロスフェアのナノフレークは,合成戦略を制御することにより,CISシード層上に最適化した。その後,Cd及びVは外来不純物イオンNFSAP CISミクロスフェアに組み込んだ。プリスチンおよびドープしたCISミクロスフェア膜をXRDとSAEDパターンから確認された体心正方晶結晶構造をもたらした。電子顕微鏡像は,CdとVドーピング下の固体と伸長NFSAP CISミクロスフェアの形成を明らかに示した。形態学的構造の変化は横方向に配向した結晶面の抑制と膨張に起因していた。純粋及びCdとVをドープしたCIS膜の化学組成と光学的および電気的性質を,UV-vis,光ルミネセンス,XPS,およびHall測定により決定した。CdとVをドープしたCISミクロスフェア膜は,元のCIS膜に比べて優れた光電応答を持っている。ドーピングによってもたらされたCISミクロスフェア中の制御された横方向に配向した結晶面は,改善された電気的および光物理的性質をもたらすことを表面形態構造の変化を誘導する。本研究の結果は,光起電素子における最適化されたCIS吸収体層を作製するためのフレームワークを提供した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *階層構造 ,  結晶構造 ,  正方晶系 ,  X線回折 ,  *ドーピング ,  *薄膜 ,  光ルミネセンス ,  光起電素子 ,  *カドミウム ,  *結晶面 ,  *ミクロスフェア ,  化学組成 ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： ナノフレーク ,  シード層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (9件)： ミクロスフェア ,  薄膜 ,  階層構造 ,  Cd ,  ドーピング ,  横方向 ,  整列 ,  結晶面 ,  成長