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J-GLOBAL ID：201702229087006373   整理番号：17A1077182

炭化高分子膜の大幅に増強したRaman散乱

Highly Enhanced Raman Scattering on Carbonized Polymer Films

著者 (8件)： YOON Jong-Chul (Inst. for Basic Sci., Ulsan, KOR) ,  YOON Jong-Chul (UNIST, Ulsan, KOR) ,  HWANG Jongha (UNIST, Ulsan, KOR) ,  THIYAGARAJAN Pradheep (UNIST, Ulsan, KOR) ,  RUOFF Rodney S. (Inst. for Basic Sci., Ulsan, KOR) ,  RUOFF Rodney S. (UNIST, Ulsan, KOR) ,  JANG Ji-Hyun (Inst. for Basic Sci., Ulsan, KOR) ,  JANG Ji-Hyun (UNIST, Ulsan, KOR)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 25  ページ： 21457-21463  発行年： 2017年06月28日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,CVD成長グラフェンのものより優れた高信頼性増強Raman散乱を示す新しいが広く応用可能な炭素ベース材料基盤を述べた。炭素増強Raman散乱(CERS)向けの信頼できる耐久性炭素ベース基板として炭化高分子膜を発見した。CERS基板として炭化SU8(フォトレジスト)膜(c-SU8)を用いたが,一般的高分子膜(ポリビニルアルコールやポリビニルピロリドン)の炭化は,効率的な電荷移動に適当なFermi準位の実現によりRamsn信号を大幅に増強するので,どんな炭化膜でも可能である。グラファイト化度,化学組成,膜の化学/電気特性制御によりプローブ分子と基板間電荷移動を優先するように,調製時膜のアニーリング温度と厚さを最適化した。提案CERS基板の利点は,SU8のようなフォトレジストケースで,かなり拡大した材料選択窓,費用効果,処理の容易さ,再現性,長期安定性と光安定性,大面積均一性,直接パターン形成である。

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  *炭化 ,  *高分子膜 ,  *Raman散乱 ,  耐久性 ,  信頼性 ,  ポリビニルアルコール ,  ポリビニルピロリドン ,  基板 ,  電荷移動 ,  Fermi準位 ,  処理 ,  再現性 ,  均一性 ,  パターン形成
準シソーラス用語： *増強 ,  分子プローブ ,  グラファイト化 ,  程度 ,  費用効果 ,  容易 ,  長期安定性 ,  光安定性

分類 (5件)： 無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C) ,  高分子の反応一般  (CG03001G) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  電子構造一般  (BM02010K) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭化 ,  高分子膜 ,  増強 ,  Raman散乱