破砕源における飛行時間ビームのための新世代高性能その場偏極<sup>3</sup>Heシステム

Jiang C. Y.; Tong X.; Brown D. R.; Glavic A.; Ambaye H.; Goyette R.; Hoffmann M.; Parizzi A. A.; Robertson L.; Lauter V.

文献

J-GLOBAL ID：201702229255546686 整理番号：17A0386021

破砕源における飛行時間ビームのための新世代高性能その場偏極³Heシステム

New generation high performance in situ polarized ³He system for time-of-flight beam at spallation sources

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資料名：
巻： 88 号： 2 ページ： 025111-025111-7 発行年： 2017年02月
JST資料番号： D0517A ISSN： 0034-6748 CODEN： RSINAK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

現代の破砕中性子源は,厚さ数原子単層から,多数の埋もれた界面を持つ複雑なプロトタイプ素子様システムまでの,新しいナノ及びメソスケール材料の探査に応用される,広い波長帯を持つ高強度中性子ビームを発生する。中性子散乱実験における高性能中性子ポラライザ及びアナライザの利用可能性は,新しい機能性を持つシステムでの磁性の理解に決定的である。我々はOak Ridge国立研究所の破砕中性子源における磁気反射計のための,新世代のその場偏極³He中性子偏極アナライザの開発を報告する。新しい光学的配置とレーザシステムを用いて,³He偏極は第一世代システムでの76%に比べて84%に達し維持した。偏極の改善は,2~9オングストロームの波長帯を持つ偏極中性子ビームについて,50%から15%まで変わる透過関数の達成を可能にする。この達成は,ナノシステムでの非常に小さい磁気モーメントへの感度で最適の性能を用いる,新しいクラスの実験をもたらし,その応用への視野を開く。(翻訳著者抄録)

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中性子回折法

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破砕源における飛行時間ビームのための新世代高性能その場偏極3Heシステム

破砕源における飛行時間ビームのための新世代高性能その場偏極³Heシステム