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J-GLOBAL ID:201702229267146818   整理番号:17A0851296

低温水溶液中の六角形にパターン化されたバッファ層上のZnO層の横方向エピタキシャル被覆成長【Powered by NICT】

Lateral epitaxial overgrowth of ZnO layers on hexagonally patterned buffer layers in low-temperature aqueous solution
著者 (3件):
資料名:
巻: 707  ページ: 341-346  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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リフトオフパターン形成と熱アニーリングに関連して,サファイア基板上のエピタキシャルZnAl_2O_4バッファ層の六方晶アレイを作製した。ZnO(0001)とZnAl_2O_4(111)間の小さな格子不整合を利用して,ZnOプリズムの位置制御されたエピタキシャル成長は,予めパターン化した格子整合バッファ層に発生した。続いて,連続流通反応器を用いて,ZnOプリズムの長期マスクレス横方向エピタキシャル被覆成長(LEO)を,低温で水性溶液中で,連続的な厚い層への合体をもたらした。X線回折(XRD)は,六角形にパターン化されたバッファ層上のLEOは歪開放,翼傾斜自由,厚いZnO層の製造を促進することを確認した。合体LEO成長したZnO層での転位密度は約10~8cmであった~ 2。LEO成長層のマイクロ光ルミネセンス特性の空間的変動は成長させた翼で発生し,LEOプロセス中のZnO層中の転位の減少に起因する結晶品質の改善が示唆された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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酸化物の結晶成長  ,  酸化物薄膜 

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