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J-GLOBAL ID：201702229280779986   整理番号：17A0132725

h-BN(0001)のRuO₂(110)/Ru(0001)への原子層堆積

Atomic layer deposition of h-BN(0001) on RuO₂(110)/Ru(0001)

著者 (8件)： Jones Jessica (Department of Chemistry, University of North Texas, Denton, Texas 76203) ,  Beauclair Brock (Department of Chemistry, University of North Texas, Denton, Texas 76203) ,  Olanipekun Opeyemi (Department of Chemistry, University of North Texas, Denton, Texas 76203) ,  Lightbourne Sherard (Department of Chemistry, University of North Texas, Denton, Texas 76203) ,  Zhang Mofei (Department of Chemistry, University of North Texas, Denton, Texas 76203) ,  Pollok Brittany (Department of Chemistry, Texas Lutheran University, NSF-REU Program (Summer, 2016), Denton, Texas 76203) ,  Pilli Aparna (Department of Chemistry, University of North Texas, Denton, Texas 76203) ,  Kelber Jeffry (Department of Chemistry, University of North Texas, Denton, Texas 76203)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 1  ページ： 01B139-01B139-6  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積によるBN多層膜の直接エピタキシャル成長は,二次元素子用途において決定的重要性をもっている。しかし,今日まで,エピタキシャル成長は,グラフェン上もしくは遷移金属表面上で報告されたのみである。X線光電子分光法(XPS)および低速電子線回折法(LEED)により,Ru(0001)下地上に形成されたRuO₂(110)単層の上に,BNが一層ずつエピタキシャル成長することが示される。600°Cの基板温度でのBCl₃/NH₃サイクルとその後の超高真空アニールにて成長が行われた。これで,化学量論組成のBN膜が形成され,Cl不純物レベルは<1at.%で,平均のBN膜の膜厚はBCl₃/NH₃のサイクル回数に比例する。XPSデータにより,BN/RuO₂界面では電荷の移動もしくはバンド曲りがほとんどないことが示される。LEEDデータからは,BNと酸化物との格子の間では30°の回転があることが示される。酸化物表面へのBNの原子層エピタキシーは,グラフェンやBNの直接成長と,Si(100)を含む工業的に重要な基板との組合せの新たな方法を示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *窒化ホウ素 ,  *多層膜 ,  基板 ,  ルテニウム ,  酸化ルテニウム ,  単一層 ,  *ヘテロエピタクシー ,  基板温度 ,  アンモニア ,  塩化ホウ素 ,  *化学量論 ,  *熱処理 ,  膜厚 ,  低速電子回折
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  LEED【環境】

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： h-BN ,  Ru ,  原子層堆積