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J-GLOBAL ID:201702229291329665   整理番号:17A1728453

標準低電圧3.3V CMOS技術における放射線と高電圧耐性空間CANドライバ【Powered by NICT】

Radiation and high-voltage tolerant space CAN driver in standard low-voltage 3.3 V CMOS technology
著者 (5件):
資料名:
巻: 2016  号: RADECS  ページ: 1-6  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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CANは,多くの宇宙応用のための選択のバスになりつつある。CANバス運転者の重篤な 2V,7Vのコモンモードと, 3V,16Vまで破壊耐性要求は16V以上の電圧に耐性のあるトランジスタを用いた市販の高電圧プロセスへの実装を制限してきた。これらのトランジスタはSEGR及びSEB放射事象に対する感受性を経験した宇宙応用における市販のCANトランシーバの制限された拡散をもたらした。本論文では,耐放射線性は運転者も耐放射線性低電圧DARE混合モード180nm CMOS技術で実現できることを初めて示した。は3.3Vから16Vまで技術電圧操作範囲を増加させる特異的駆動回路の開発により可能となった,耐放射線性を維持した。CAN運転者が60MeVcm~/mg以上の重イオン照射下で製造し,試験した。16Vまではコモンモードと故障耐性電圧範囲にわたり,このCANドライバを試験し,高いしきい値および放射線誘起SET低断面積とSEL,SEGR及びSEB感度の欠如を持つことが見いだされている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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固体デバイス計測・試験・信頼性  ,  半導体の放射線による構造と物性の変化 

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