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J-GLOBAL ID：201702229434664058   整理番号：17A1489573

ダイヤモンドと比較した半絶縁性炭化けい素半導体中のアルファ放射に誘起された空間電荷安定性の効果【Powered by NICT】

Alpha radiation induced space charge stability effects in semi-insulating silicon carbide semiconductors compared to diamond

著者 (3件)： Hodgson M. (Department of Physics, University of Surrey, Guildford GU2 7XH, United Kingdom) ,  Lohstroh A. (Department of Physics, University of Surrey, Guildford GU2 7XH, United Kingdom) ,  Sellin P. (Department of Physics, University of Surrey, Guildford GU2 7XH, United Kingdom)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 78  ページ： 49-57  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 放射線検出目的のための半絶縁性炭化ケイ素材料の使用は,以前に実証されているが,実用的な応用でのその使用は材料内の欠陥濃度に起因する空間電荷安定性の問題により阻害され,いわゆる分極効果,計数率と得られたスペクトルは照射時間と共に変化した。これは材料内の深準位欠陥を充填する,空間電荷ビルドアップを引き起こし,トラップされた電荷までトラップレベルは放出された不活性化照射中に発生した電荷キャリアの結果である。,分極効果の時間依存性は,入射光強度,周囲光,温度およびバイアス中に影響を受けることをパラメータの組合せにより決定した。材料特性も異なる欠陥捕獲断面積,濃度とエネルギー準位を有する材料の使用を介して考慮した。半絶縁性炭化けい素におけるアルファ線照射誘起分極現象の詳細な特性化は,安定した動作検出器はこの材料で実際に可能であることを実証した。効果は,単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンド,同様の分極問題を示すことが知られていると比較した。入射フラックス,バイアスと温度の効果としての分極率を決定し,周囲の光とバイアスも示しの関数として脱分極速度であった。その結果,安定した運転が高い動作バイアス(>±400V)mm~2当たり二<0.7アルファ粒子の入射アルファ放射フラックスで活性厚み350μmの半絶縁性SiC材料から作製した検出器のための維持できることを示した。,分極は適切に光照射と高温の使用(373K)により管理されたまたは減少させることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *半導体 ,  キャラクタリゼーション ,  時間依存性 ,  分極 ,  温度依存性 ,  深い準位 ,  光照射 ,  検出器 ,  *ダイヤモンド ,  *空間電荷 ,  高温 ,  バイアス ,  スペクトル ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： *半絶縁性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 半絶縁性炭化けい素 ,  単結晶ダイヤモンド ,  多結晶ダイヤモンド ,  照射安定性 ,  偏光 ,  温度依存性

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (7件)： ダイヤモンド ,  半絶縁性 ,  炭化けい素 ,  放射 ,  誘起 ,  空間電荷 ,  安定性