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J-GLOBAL ID：201702229444017023   整理番号：17A1676050

ECCチェックコードに基づくメモリーの自己修復アルゴリズムの設計を拡張することができる。【JST・京大機械翻訳】

A scalable memory-built-in-self-repair algorithm based on ECC check code

著者 (3件)： Ren Xiujiang (江南計算技術研究所,江蘇无錫,214083) ,  Xie Xianghui (数学工程与先進計算国家重点実験室,江蘇无錫,214125) ,  Shi Jingjing (江南計算技術研究所,江蘇无錫,214083)
資料名： Jisuanji Gongcheng Yukexue  (Jisuanji Gongcheng Yukexue)
巻： 39  号： 2  ページ： 252-257  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2938A  ISSN： 1007-130X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： マイクロエレクトロニクスプロセスの進歩に伴い,SoCチップの設計におけるSRAMの占める面積がますます大きくなり,SRAMの欠陥率がチップの歩留りに影響する重要な要素となっている。拡張可能なメモリ自己修復アルゴリズム(S-MBISR)を提案し,冗長なSRAMを修復する際に,メモリアクセスチャネルにおけるチェックコードの誤り訂正能力を拡張し,SRAMの構造を変えずにメモリのフォールトトレランス能力をさらに向上させることができる。......................................................................を提案していることを示す.さらに,チップ歩留りを改善した。最後に,このアルゴリズムをRTL設計により実現した。バックエンド設計評価により,提案したアルゴリズムが1GHzの周波数で動作することができ,面積オーバヘッドが1.5%だけ増加することを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アルゴリズム ,  記憶装置 ,  歩留り ,  フォールトトレランス ,  周波数 ,  誤り訂正能力 ,  SRAM
準シソーラス用語： バックエンド ,  システムオンチップ ,  *アルゴリズム設計 ,  *自己修復 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： MBSIR ,  MBIST ,  ECC

分類 (2件)： 計算機網  (JC03000K) ,  信頼性  (KB04040H)

タイトルに関連する用語 (6件)： ECC ,  チェック ,  メモリー ,  自己修復 ,  アルゴリズムの設計 ,  拡張