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J-GLOBAL ID：201702229445852904   整理番号：17A0568182

シリコンカーバイドMOSFETのオン電圧とボンドワイヤの同時モニタリング

Simultaneous On-State Voltage and Bond-Wire Resistance Monitoring of Silicon Carbide MOSFETs

著者 (3件)： BAKER Nick (Aalborg Univ., Aalborg, DNK) ,  LUO Haoze (Aalborg Univ., Aalborg, DNK) ,  IANNUZZO Francesco (Aalborg Univ., Aalborg, DNK)
資料名： Energies (Web)  (Energies (Web))
巻： 10  号： 3  ページ： WEB ONLY  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： U7016A  ISSN： 1996-1073  CODEN： ENERGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高速スイッチング電力半導体では,ゲート信号の基準電位を供給するための第4端子-ケルビンソース端子として知られる-の使用が一般的になってきている。この端子の導入が状態監視システム構築の機会を提供する。本稿はケルビンソースと電源間の電圧が,どの様にボンド線の劣化を監視できるかを示す。一方,ドレインとケルビンソース間電圧は,半導体ダイスやゲートドライバの欠陥を追跡するために監視できる。20Aの炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の加速エージング試験により,ボンド線とMOSFET両方のオン状態抵抗の進展に反対傾向があることが示されている。要約すると,50,000回の温度サイクルの後,ボンドワイヤの抵抗は2mΩまで増加し,MOSFETダイスのオン抵抗は約1mΩ減少した。従来の不良前駆体(単一の順方向電圧をモニタする)は,半導体ダイスとボンド線劣化を区別できない。したがって,補助電源端子の存在に由来するこれら両パラメータを監視する能力は,装置のエージングプロセスに関するより詳細な情報を提供することができる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  スイッチ ,  *加齢 ,  *加速試験 ,  熱サイクル ,  繰返し試験 ,  品質管理 ,  パワーエレクトロニクス ,  電力トランジスタ ,  技術進歩 ,  評価 ,  用途開発 ,  故障解析
準シソーラス用語： シリコンカーバイド ,  電力半導体スイッチ ,  *エイジング ,  温度サイクル ,  サイクル試験 ,  信頼性管理 ,  パワー・エレクトロニクス ,  パワー半導体 ,  有用性評価

分類 (5件)： 開閉保護一般  (NB09010M) ,  接地  (NB09020X) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコンカーバイド ,  MOSFET ,  ボンド ,  ワイヤ ,  モニタリング