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J-GLOBAL ID：201702229476230965   整理番号：17A0445118

硫黄不動態化InSb(100)表面の再構成【Powered by NICT】

Reconstructions of the sulfur-passivated InSb (100) surface

著者 (4件)： Ciochon Piotr (Institute of Physics, Faculty of Physics, Astronomy and Applied Computer Science, Jagiellonian University, ul. prof. Stanislawa Lojasiewicza 11, 30-348, Cracow, Poland) ,  Olszowska Natalia (Institute of Physics, Faculty of Physics, Astronomy and Applied Computer Science, Jagiellonian University, ul. prof. Stanislawa Lojasiewicza 11, 30-348, Cracow, Poland) ,  Wrobel Sonia (Institute of Physics, Faculty of Physics, Astronomy and Applied Computer Science, Jagiellonian University, ul. prof. Stanislawa Lojasiewicza 11, 30-348, Cracow, Poland) ,  Kolodziej Jacek (Institute of Physics, Faculty of Physics, Astronomy and Applied Computer Science, Jagiellonian University, ul. prof. Stanislawa Lojasiewicza 11, 30-348, Cracow, Poland)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 400  ページ： 154-161  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高真空における固体電気化学セルにより放出された硫黄二量体で不動態化したInSb(100)表面の特性を調べた。326°Cに等しい温度で不動態化した表面をアニールするとC(4×8)表面再構成の形成につながるが,一方,温度の上昇348°Cにc(4×12)再構成への転移をもたらした。我々の知る限りではこれらの再構成は,今までに報告されておらず,非常に良好な結晶学的秩序により特徴がある。XPS研究は,表面に存在する硫黄の少なくとも4種類の化学種であり,硫黄層の推定厚さは約4Åに等しいことを明らかにした。表面再構成が表面電子状態の低い強度とFermi準位近傍の共鳴,清浄InSb表面と比較して特性化し,それらをInSbに基づく電子および光電子デバイスの作製のための非常に有用性が期待されている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶学 ,  *アンチモン化インジウム ,  キャラクタリゼーション ,  *硫黄 ,  化学種 ,  *再構成 ,  二量体 ,  超高真空 ,  表面再構成 ,  *不動態化 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： 表面電子状態 ,  電気化学セル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： アンチモン化インジウム ,  不動態化 ,  硫黄 ,  再構築

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 硫黄 ,  不動態化 ,  InSb ,  再構成