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J-GLOBAL ID：201702229581093325   整理番号：17A0389012

Cuバッファ層のないテルル化カドミウム(CdTe)太陽電池の量子ドット誘導改良された性能【Powered by NICT】

Quantum dot-induced improved performance of cadmium telluride (CdTe) solar cells without a Cu buffer layer

著者 (12件)： Li Jiajie (Centre for Composite Materials and Structures, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China. [e-mail]) ,  Zhang Yumin ,  Gao Tangling ,  Hu Chang ,  Yao Tai ,  Yuan Quan ,  Wang Xianjie ,  Xu Ping ,  Zhang Zhihua ,  Jian Jikang ,  Zhang Xinghong ,  Song Bo
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 10  ページ： 4904-4911  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルル化カドミウム(CdTe)薄膜太陽電池は,その高い効率,熱安定性,および低い製造コストのために大きな可能性を示した。しかし,CdTe太陽電池の実用性能はしばしば極度にCu拡散の欠乏または過剰によって制限され,非オーミック接触と電気的短絡,性能劣化をもたらす。ここでは,パルスレーザ蒸着(PLD)法を用いてCdTe層上のCdTe量子ドット(QD)を析出させることによってCuフリーなバック接触の作製のための革新的な戦略を示し,平均相対電力変換効率は~6.2%有意に増強されることを見出した。より重要なことに,調製したてのCdTe QDsは熱的に安定で,CdTe QD/Au裏面接触装置を用いたCdTeはほぼ1年後でも大気への曝露期間中に劣化の兆候を示さなかった。本研究はCdTe太陽電池の設計と特性調節への新規洞察を提供した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *量子ドット ,  Ohm接触 ,  *バッファ層 ,  *テルル化カドミウム ,  接触装置 ,  熱安定性 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *太陽電池 ,  製造原価 ,  *銅 ,  CdTe量子ドット ,  薄膜太陽電池
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  性能劣化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cu ,  バッファ層 ,  テルル化カドミウム ,  CdTe ,  太陽電池 ,  量子ドット ,  誘導