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J-GLOBAL ID：201702229635425926   整理番号：17A1774353

3.3kV SiC JBSダイオード構成可能な整流器モジュール【Powered by NICT】

3.3 kV SiC JBS diode configurable rectifier module

著者 (4件)： Mouawad Bassem (Power Electronics, Machines and Control Group (PEMC), University of Nottingham, University Park Campus, NG7 2RD, Nottingham, United Kingdom) ,  Wang Zhenyu (Power Electronics, Machines and Control Group (PEMC), University of Nottingham, University Park Campus, NG7 2RD, Nottingham, United Kingdom) ,  Buettner Jonas (Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology IISB, Schottkystrasse, 10, 91058 Erlangen, Germany) ,  Castellazzi Alberto (Power Electronics, Machines and Control Group (PEMC), University of Nottingham, University Park Campus, NG7 2RD, Nottingham, United Kingdom)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EPE’17 ECCE Europe  ページ： P.1-P.9  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ユーザ構成可能な全波または半波整流器ブリッジの開発における革新的高電圧SiCダイオード技術の使用を提案した。デバイスを融合接合障壁Schottky(JBS)型である電流サージの存在下でも最適性能を可能にするために,応用により要求される。提案した解決策のコストを含むために,それらの包装は絶縁金属基板(IMS)に依存しており,通常のセラミック型基板とは対照的である。レイアウトとモジュールピン終端は標準はんだとワイヤボンド組立工程との両立性の最適電熱と電磁性能を得るために選択した。種々の温度での,予備的な機能的静的特性試験も提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： はんだ ,  電流 ,  *ダイオード ,  両立性 ,  組立工程 ,  *整流器 ,  電気加熱 ,  半波整流 ,  *炭化ケイ素 ,  静特性 ,  セラミック
準シソーラス用語： 金属基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  電力変換器  (NB08030B) ,  混成集積回路  (NC03163K)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  ダイオード ,  整流器 ,  モジュール