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J-GLOBAL ID:201702229660772218   整理番号:17A1054623

MoS2/MoSe2/MoS2三層van der Waalsヘテロ構造における欠陥修復および電荷移動媒介バレー分極

Defect Healing and Charge Transfer-Mediated Valley Polarization in MoS2/MoSe2/MoS2 Trilayer van der Waals Heterostructures
著者 (12件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: 4130-4136  発行年: 2017年07月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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サファイヤ基板上の化学蒸着により作製したMoSe2単分子層の上下を別途作製したMoS2薄膜によりKOH湿式法を用いて挟んでMoS2/MoSe2/MoS2三層van der Waalsヘテロ構造を作製した。光学顕微鏡,光ルミネセンスによりキャラクタリゼーションを行った。遷移金属ジカルコゲン化物の蒸着膜で課題となる透明性がMoS2/MoSe2/MoS2三層van der Waalsヘテロ構造では顕著に改善されることを見いだした。光ルミネセンススペクトル線幅および密度汎関数法計算をあわせて,MoSe2蒸着膜のSe空孔欠陥がMoS2薄膜との接触により修復されると推定した。さらに偏光分解ミクロ光ルミネセンスに基づく励起子およびトリイオンの積分強度から,MoSe2薄膜が電荷移動により共鳴励起なしにバレー分極を生じると推定した。
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分類 (5件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  半導体結晶の電子構造  ,  半導体の可視・紫外スペクトル  ,  固-固界面  ,  その他の無機化合物の磁性 

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