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J-GLOBAL ID:201702229697720115   整理番号:17A0880491

ポリ(3 ヘキシルチオフェン):シンウナノ複合材料の光学的および誘電的性質に及ぼすけい素ナノワイヤ(シリコンナノワイヤ)含有量の影響【Powered by NICT】

Effects of silicon nanowires (SiNWs) contents on the optical and dielectric properties of poly(3-hexylthiophene):SiNWs nanocomposites
著者 (5件):
資料名:
巻: 107  ページ: 1-6  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0202A  ISSN: 0022-3697  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,光ルミネセンス(PL)およびインピーダンス分光法に基づいたSiNWの濃度にポリ(3-ヘキシルチオフェン):シリコンナノワイヤ(P3HT:SiNW)ナノ複合材料の光学的および電気的特性の依存性を調べた。PLスペクトルはSiNWの低濃度での電荷移動の存在を示した。損失機構に及ぼすSiNWs含有量の影響を誘電率測定,ポリマー主鎖上にSiNWs含有量の分布に関連していたに基づいて,PLとコンダクタンスの結果と相関し決定した。インピーダンスの虚数部はMaxwell-Wagner分極に起因する高い緩和周波数を示し,抽出した緩和時間はミリ秒の範囲であった。Cole-Cole図は等価回路化学キャパシタンスC_μ,接触電気抵抗R_s,再結合抵抗R_pを組み込んだによる優れた適合性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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無機化合物のルミネセンス  ,  光物性一般 

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