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J-GLOBAL ID：201702229715184366   整理番号：17A1273367

超高di/dt条件下でのMOS制御サイリスタの過渡過電圧誘起破壊【Powered by NICT】

Transient overvoltage induced failure of MOS-controlled thyristor under ultra-high di/dt condition
著者 (9件)：
Liu Chao

Liu Chao について

(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について

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Chen Wanjun

Chen Wanjun について

(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について

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Tao Hong

Tao Hong について

(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について

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Shi Yijun

Shi Yijun について

(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について

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Tang Xuefeng

Tang Xuefeng について

(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について

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Gao Wuhao

Gao Wuhao について

(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について

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Zhou Qi

Zhou Qi について

(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について

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Li Zhaoji

Li Zhaoji について

(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

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Zhang Bo

Zhang Bo について

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資料名：
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

IEEE Conference Proceedings について


巻： 2017  号： ISPSD  ページ： 139-142  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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本論文では,高di/dt放電中の過渡過電圧誘起される破断はカソードショートMOS制御型サイリスタ(CS MCT)に基づいて研究した。この破壊の固有の理由は,高di/dtパルス電流は固有寄生カソードインダクタンスが流れる,ゲート酸化膜の破壊をする高い過渡過電圧を発生することである。過渡過電圧の機構を理論的に詳細に述べた。簡単な解は,第二エミッタ鉛,Kelvin接続と呼ばれるを添加することにより提案した。Kelvinエミッタは大きく高di/dt条件で過電圧を固定,分解からゲート酸化を防止した。正常接続に対するKelvin接続の利点を実験的に実証し,検証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*サイリスタ

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酸化

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*電圧発生

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放電

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*過電圧

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ゲート酸化膜

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パルス電流

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分類 (3件)：
分類
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固体デバイス計測・試験・信頼性 
(NC03040G)

固体デバイス計測・試験・信頼性 について

,  トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

,  集積回路一般 
(NC03161C)

集積回路一般 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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DI

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dT

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MOS制御サイリスタ

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電圧誘起

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破壊

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