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J-GLOBAL ID：201702229760889887   整理番号：17A1424575

強磁性/常伝導/強磁性シリセン超格子接合におけるバレー分極電流とFano因子【Powered by NICT】

Valley polarized current and Fano factor in a ferromagnetic/normal/ferromagnetic silicene superlattice junction

著者 (5件)： Rashidian Z. (Department of Physics, Faculty of Science, Lorestan University, Lorestan, Iran) ,  Lorestaniweiss Z. (Department of Physics, Faculty of Science, Lorestan University, Lorestan, Iran) ,  Hajati Y. (Department of Physics, Faculty of Science, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran) ,  Rezaeipour S. (Applied Meteorology Research Center in Lorestan, Khoramabad, Iran) ,  Rashedi G. (Department of Physics, Faculty of Science, University of Isfahan, Isfahan, Iran)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 442  ページ： 15-24  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,伝達マトリックス法に基づく,静電ゲートポテンシャルUは正常領域に付着した強磁性/常伝導/強磁性(FNF)座屈シリセン接合の超格子を通るDiracフェルミオンの輸送特性を調べた。シリセンの座屈構造のために,透過確率と接合の結果として谷分解コンダクタンスは電場強度,障壁の数,及び静電ゲート電圧を調整することによりターンオンまたはターンオフできることが分かった。注目すべきことに,完全谷分極電流を提案したデバイスにおける障壁の数を増加させることによって達成することができる。このような接合と障壁長さの全電荷コンダクタンスGcに対する障壁の数の影響も調べた,障壁の数を増加させることによりGc振動の振幅が減少することを示した。また,Fano因子は,電場,障壁の数,およびゲート電圧を印加することによって強く変調されることが分かった。特に,静電ゲート電位の存在下で,Fano因子は完全Poisson値に達するF=1,輸送は禁止されている(T → 0)とこの接合で生じる純粋なトンネルことを意味する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *超格子 ,  ターンオン ,  電位 ,  コンダクタンス ,  *分極 ,  *強磁性 ,  電界強度 ,  *電流 ,  電荷 ,  *常伝導 ,  電場
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  輸送特性 ,  *Fano因子 ,  *シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シリセン超格子 ,  Landauer Buttiker公式 ,  電気輸送 ,  完全バレー電流 ,  Fano因子

分類 (4件)： 磁性理論  (BM06020X) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強磁性 ,  常伝導 ,  シリセン ,  超格子 ,  Fano因子