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J-GLOBAL ID：201702229841127180   整理番号：17A1005723

単層MoS₂のバンドオフセットに対する格子歪効果:原子結合緩和のアプローチ

Lattice Strain Effect on the Band Offset in Single-Layer MoS₂: An Atomic-Bond-Relaxation Approach

著者 (3件)： ZHAO Yipeng (Hunan Normal Univ., Changsha, CHN) ,  ZHANG Zhe (Hunan Normal Univ., Changsha, CHN) ,  OUYANG Gang (Hunan Normal Univ., Changsha, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 9  ページ： 5366-5371  発行年： 2017年03月09日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代の電子デバイス素材として二次元構造の二硫化モリブデンが近年,注目を浴びている。しかし,単層MoS₂のバンドオフセットを調整するための原子論に基づいた物理的機構はまだ確立されていない。本報は,一軸引っ張り歪により変調された単層MoS₂のバンドオフセットを取り扱うための解析モデルを提示している。このモデルは原子結合緩和の考察に基づいている。単層MoS₂のバンドギャップは,一軸引っ張り歪に応じてほぼ一次比例する赤方偏移を示した。バンドオフセットの基本的な機構は,結合距離,結合強度,および結合角のような結合性質の変化による結晶ポテンシャルの変化に起因する。得られた結果の妥当性は入手できる証拠との比較により裏付けられた。本報で提唱されたモデルは二次元半導体ナノ構造における電子物性の変調機構を明らかにする有効な処方である。

シソーラス用語： *単一層 ,  *硫化モリブデン ,  *バンドオフセット ,  *格子歪 ,  緩和現象 ,  引張 ,  バンドギャップ ,  赤方偏移 ,  *解析モデル ,  構造 ,  物理的性質 ,  応力 ,  核間距離 ,  強度 ,  結合角
準シソーラス用語： *二次元構造 ,  電子物性 ,  一軸応力 ,  結合強度

分類 (4件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  塩  (CD01050V) ,  物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 単層 ,  MoS2 ,  バンドオフセット ,  格子 ,  歪効果 ,  原子 ,  緩和