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J-GLOBAL ID：201702229942539375   整理番号：17A1345139

モノリシック集積E/D EMT制御論理を用いた高出力Xバンド-b GaN移相器【Powered by NICT】

High-Power ${X}$ -Band 5-b GaN Phase Shifter With Monolithic Integrated E/D HEMTs Control Logic

著者 (5件)： Luo Weijun (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Hui (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhang Zongjing (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Sun Pengpeng (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Xinyu (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 9  ページ： 3627-3633  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 制御論理回路オンチップによる高出力XバンドGaNベース-bディジタル移相器を初めて実証したが,これはモノリシック集積GaN E/D HEMT作製プロセスで実現した。ゲートトレンチエッチングAl_2O_3とともにゲート誘電体はEモードGaNH EMTのゲートを形成した。スイッチドフィルタと高pass/lowパストポロジーは11.25°/22.5°と45°/90°/180°移相器を設計するために使用した。新しい三段階制御論理回路を記述し,特性化した。作製した-b移相器は,4.5°以下のrms位相誤差,rms振幅誤差は0.6dB以下,11dB以下の挿入損失,全32状態の8.5~11.5GHzの 10dBよりも良好な入力-出力リターンロスを示した。添加では,移相器は,9GHzの連続波電力操作能力測定における34.8dBmの典型的なP_1 dB入力パワーを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *移相器 ,  挿入損 ,  ディジタル方式 ,  キャラクタリゼーション ,  連続波 ,  HEMT ,  *窒化ガリウム ,  論理回路 ,  電力操作
準シソーラス用語： 反射減衰量 ,  位相誤差 ,  オンチップ ,  *Xバンド ,  *高出力 ,  *モノリシック集積化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： モノリシック集積 ,  EMT ,  論理 ,  高出力 ,  Xバンド ,  GaN ,  移相器