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J-GLOBAL ID:201702229948493636   整理番号:17A0851360

効率的な光触媒汚染物分解のためのBiVO_4 BiFeO_3 CuInS_2における強誘電増強Z図式的電子移動【Powered by NICT】

Ferroelectric-enhanced Z-schematic electron transfer in BiVO4-BiFeO3-CuInS2 for efficient photocatalytic pollutant degradation
著者 (4件):
資料名:
巻: 209  ページ: 591-599  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0375A  ISSN: 0926-3373  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Z-スキーム系における光触媒還元システムへの光触媒酸化系から電子を持つユニークな電荷キャリア移動は,それらの高い還元と酸化容量を確実にする重要なステップである。しかし,界面での光触媒還元システム(PS I)への光触媒酸化系(PS II)からの下向きのバンド曲げを実現することができたので,このベクトル電子移動を制御することは困難である。強誘電材料のために,種々のバンド曲がりは材料内部のスイッチ分極誘起電場により形成されると,必要なバンド曲げは,適切なポーリング条件を用いて得ることができる。Z図式的電荷キャリア移動はPSIIとPSとの間の下向きのバンド曲がりをもつ強誘電体材料を挿入することにより,強化すべきである。ここでは,この推論は,改良された光電流密度によって検証し,CuInS_2BiVO_4から配向分極誘起電場とBiVO_4 BiFeO_3 CuInS_2+への反応性酸素種を発生させた。BiVO_4 BiFeO_3 CuInS_2に4 ニトロフェノールの光触媒分解速度はCuInS_2とBiVO_4 CuInS_2上のものよりも2.8倍と16.9倍であることを証明し,前者に2,4 ジクロロフェノールの分解速度は後者に1.6と3.4倍であった,分極誘起電場改善された光触媒性能を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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光化学反応 
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