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J-GLOBAL ID:201702230084601946   整理番号:17A1251241

急速熱アニーリングによるAu膜上のナノ粒子の調整可能なプラズモンSERS「ホットスポット」【Powered by NICT】

Tunable Plasmonic SERS “Hotspots” on Au-Film Over Nanosphere by Rapid Thermal Annealing
著者 (3件):
資料名:
巻: 16  号:ページ: 551-559  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1355A  ISSN: 1536-125X  CODEN: ITNECU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,ナノスフェア(AuFON)非リソグラフィーAu膜の作製を組み合わせた段階的急速熱アニーリング(RTA)処理による新しい方法を表面増強Raman散乱(SERS)基板の高性能を製造するために開発した。高均一周期AuFONは100nmポリスチレン(PS)ナノ球を用いた改良したナノ球リソグラフィー法,自己集合ドロップキャスティング法「ホットスポット」ナノ構造ダウンスケーリングPSナノスフェア中の酸素プラズマまたは溶媒比調整の適用を含んだにおける二種類のアプローチ効果的に発生するによる顕著なSERS増強因子(EF_SERS)を標的とするにおけるダウンスケーリング工程によって達成された。AuFON基板の製造後,AuFONに短いRTAプロセスは改良されたSERS活性に寄与する表面粗さを増加させ,それぞれ,250°C,500°C,および750°Cで実施した。結果はRTAのより高い温度はPS球状ライニング上に閉じ込められたAu膜の構造変化,それは1~μMローダミン6G Ramanプローブの検出のSERS応答の最終的な増強となった直線的にことを示した。最も効果的なSERS強化はRTAの750°C1.08×10~8の値(EF_SERS)によって実証された。全体として,RTAプロセスによる調整可能なプラズモン応答とダウンスケールした非リソグラフィーSERS基板を作製することに成功した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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