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J-GLOBAL ID：201702230085175656   整理番号：17A1744743

二次元遷移金属ジスルフィドにおけるスピンエネルギー結合の谷電子学【JST・京大機械翻訳】

Spin-valley coupled valleytronics in two-dimensional transitional metal dichalcogenides

著者 (3件)： Liu Xuefeng (北京大学物理学院量子材料科学中心 北京100871;量子物質科学協同創新中心 北京 100871) ,  Ma Junchao (北京大学物理学院量子材料科学中心 北京100871;量子物質科学協同創新中心 北京 100871) ,  Sun Dong (北京大学物理学院量子材料科学中心 北京100871;量子物質科学協同創新中心 北京 100871)
資料名： Wuli  (Wuli)
巻： 46  号： 5  ページ： 299-306  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0473A  ISSN： 0379-4148  CODEN： WULIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 電子の電荷自由度とスピン自由度は現代電子デバイスの基礎の核心の一つである。二次元の材料、特に二次元遷移族硫化物(TMDCs)の研究が深くなるにつれ、もう一つの自由度-エネルギー谷は人々の極めて大きな研究の興味を引き起こしている。TMDCs中のスピンとエネルギー谷の強い結合により、スピン(エネルギー谷)はエネルギー谷(スピン)を通じて便利に調節と探測を行うことができ、電子スピンとエネルギー谷の関連領域に新しい手段と方法を提供した。本論文では、まず、自由エネルギーとTMDCsにおけるスピンとエネルギー谷の強結合について紹介し、その後、円偏光励起とスピン注入の二つの方式によるスピン制御と探測の理論と実験を紹介し、最後にエネルギー谷に基づくスピン制御について総括と展望を行った。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 硫化物 ,  自由度 ,  自由エネルギー ,  電荷 ,  電子スピン ,  *二次元 ,  強結合 ,  *ジスルフィド ,  *遷移金属 ,  円偏光 ,  励起
準シソーラス用語： スピン制御 ,  スピン注入 ,  電子素子 ,  スピン自由度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： valley ,  two-dimensional materials ,  transitional metal dichalcogenides ,  spin-orbital coupling ,  circular dichroism ,  spin injection

分類 (1件)： 電子構造一般  (BM02010K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 遷移金属 ,  ジスルフィド ,  スピン ,  エネルギー ,  谷 ,  電子