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J-GLOBAL ID：201702230093504427   整理番号：17A0702676

強化された水素発生に向けてのNドープグラフェン上の有孔MoSe_2単結晶の高分子閉じ込められた成長【Powered by NICT】

Polymer-confined growth of perforated MoSe₂ single-crystals on N-doped graphene toward enhanced hydrogen evolution

著者 (4件)： Zhuang Minghao (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, China. [e-mail]) ,  Ding Yao ,  Ou Xuewu ,  Luo Zhengtang
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 14  ページ： 4652-4659  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2d遷移金属ジカルコゲナイド(TMDC)のエッジおよびコーナー原子は電気化学反応の主な電極触媒活性部位である。は有意に強化された水素発生反応(HER)活性をもたらす窒素ドープグラフェン(NG)に担持した二セレン化モリブデン(MoSe_2)ナノ結晶における豊富なエッジ/隅角部原子を発生させる手法を実証した。これらの構造は,高分子官能化グラフェン酸化物内のMo含有前駆体を吸収する最初にによって製造し,次に,表面にMoSe_2ナノ結晶を得るためにセレン化し,最終的にH_2エッチングは多孔構造を形成した。吸収マトリックスとして機能性高分子の使用は,横方向次元における~150nmのMoSe_2単結晶を得ることを可能にする凝集を軽減する効率的,高MoSe_2負荷を維持していた。水素発生測定における縁/コーナー原子の有意に増加した豊度から生じる著しく増強された電極触媒活性を観察した。具体的には,本穿孔MoSe_2/NG修飾したカソードを持つ, 1および 10mA cm~ 2の電流密度は30と106mVの過電位,小さいTafel勾配57mV dec~ 1と0.5M H_2SO_4 127.4μA/cm~ 2の大きな交換電流密度と共に実現した。このような効率的な戦略も電気化学的応用のためのTMDCベースナノ複合材料の比類のない設計および製造のためのドアを開くものである。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 機能性高分子 ,  *グラフェン ,  電気化学反応 ,  電気化学 ,  *単結晶 ,  電流密度 ,  ナノ複合材料 ,  ナノ結晶 ,  過電圧 ,  水素発生反応
準シソーラス用語： セレン化反応 ,  酸化グラフェン ,  セレン化モリブデン ,  電極触媒活性 ,  *水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 強化 ,  水素発生 ,  ドープ ,  グラフェン ,  有孔 ,  単結晶 ,  高分子 ,  成長