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J-GLOBAL ID：201702230096717415   整理番号：17A1398748

TCADに基づくCMOSのシングルイベントラッチアップ効果に関する研究【Powered by NICT】

Research on single event latch-up effect of CMOS based on TCAD

著者 (5件)： Jiang Maogong (School of Reliability and Systems Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Fu Guicui (School of Reliability and Systems Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Wan Bo (School of Reliability and Systems Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Jia Meisi (School of Reliability and Systems Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Qiu Yao (School of Reliability and Systems Engineering, Beihang University, Beijing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICRSE  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相補型金属酸化物半導体(CMOS)は高い信頼性分野で広く使用されており,シングルイベントラッチアップ(SEL)効果に感受性である。技術コンピュータ支援設計(TCAD)シミュレーションソフトウェアに基づいて,典型的なCMOS構造はSEL効果をシミュレートし,異なる条件の下でのシミュレーション結果を研究するために選択した。シミュレーション条件とシミュレーション結果の間の関係を結論した。CMOS成分のSEL補強設計と応用のための指示は設計の信頼性を改善するために得られた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 感受性 ,  シミュレーション ,  金属酸化物 ,  CAD【計算機】 ,  半導体 ,  *CMOS ,  信頼性 ,  CMOS構造
準シソーラス用語： シミュレーションソフトウェア ,  *SEL【シングルイベント】 ,  *TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： TCAD ,  CMOS ,  シングルイベントラッチアップ ,  研究