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J-GLOBAL ID:201702230144981574   整理番号:17A0621004

極薄強誘電体トンネル接合において分極依存性エネルギー効率的イオン移動により選択的に活性化されるシナプス可塑性

Synaptic Plasticity Selectively Activated by Polarization-Dependent Energy-Efficient Ion Migration in an Ultrathin Ferroelectric Tunnel Junction
著者 (8件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: 1949-1955  発行年: 2017年03月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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新規単一シナプスAg/PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)/La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)デバイスについて報告した。この極薄強誘電性PZT層(~4nm)は,カチオン移動のための選択的電解質として作用する。極薄FTJ(強誘電性トンネル接合)を介するAgイオン移動によるトンネル障壁幅の変調に起因して,これは,大きなオン/オフ比(107)と低いエネルギー消費量(増強エネルギー消費量=~22aJおよび抑制エネルギー消費量=~2.5pJ)を示した。また,これは,シナプス可塑性とSTP(短期塑性)からLTP(長期増強)への転移をも示した。
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
強誘電体,反強誘電体,強弾性 

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