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J-GLOBAL ID:201702230149000203   整理番号:17A1399176

VCSEL装置内の電界吸収型変調器の垂直統合【Powered by NICT】

Vertical integration of an electro-absorption modulator within a VCSEL device
著者 (10件):
資料名:
巻: 2017  号: ICTON  ページ: 1-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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データ通信トラヒックの巨大な増加が常に拡大する変調帯域幅のレーザ源を必要とする。垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)は短い通信のためのそれらの広範な使用は,データセンタのような関連する与えられた戦略的に関連し,最近の発展を考慮して,このような需要に対処するための良好な候補である。高速電界吸収変調器(EAM VCSEL)連続波VCSELを統合した垂直による変調帯域幅を増加させることを提案した。を電気的及び光学的設計に関する我々の研究を示し,最適化された製造工程の開発と集積化EAM VCSELデバイスの実現につながるマイクロ波特性に及ぼすであろう。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体レーザ 
タイトルに関連する用語 (3件):
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