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J-GLOBAL ID：201702230165038787   整理番号：17A1238015

立方晶GaNのn型ドーピングに対するゲルマニウムの取込【Powered by NICT】

Incorporation of germanium for n-type doping of cubic GaN

著者 (4件)： Deppe Michael (Department of Physics, University of Paderborn, Warburger Str. 100, 33098 Paderborn, Germany) ,  Gerlach Juergen W. (Leibniz Institute of Surface Modification, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig, Germany) ,  Reuter Dirk (Department of Physics, University of Paderborn, Warburger Str. 100, 33098 Paderborn, Germany) ,  As Donat J. (Department of Physics, University of Paderborn, Warburger Str. 100, 33098 Paderborn, Germany)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 254  号： 8  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 立方晶窒化ガリウムのn型ドーピングのためのシリコンの代替としてゲルマニウムを導入した。3.7×10~20cm~ 3までの電子濃度の層をプラズマ支援分子ビームエピタクシー3C-SiC基板上に成長させた。飛行時間二次イオン質量分析(TOF SIMS)測定はこの層へのGeの取り込みを検証した。Geの取り込みはGe蒸気圧曲線の傾向と良く一致した。最高にドープした試料では取り込み効率の低下が観察された。成長速度の低下は高いGeフラックスの注目されている。さらに,Geをドープした及び意図的にドープしない中間層の交互パターンを含む試料を成長させた。記録したTOF-SIMS深さプロファイルでは,ドープ領域中のGe濃度は,成長方向に沿って増加することを観察した。漸減量Geの上位意図的にはドープしていない中間層に組み込んだ。これらの観察を想定し,偏析効果と成長中の試料表面でのGeの蓄積によるものである。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ドーピング ,  ケイ素 ,  偏析 ,  *窒化ガリウム ,  成長速度 ,  プラズマ ,  蒸気圧 ,  *ゲルマニウム ,  深さプロフィル ,  MBE成長
準シソーラス用語： 中間層 ,  TOF-SIMS ,  3C-SiC ,  電子濃度 ,  *n型ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 立方晶GaN ,  ドーピング ,  ゲルマニウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 立方晶 ,  GaN ,  n型ドーピング ,  ゲルマニウム ,  取込