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J-GLOBAL ID：201702230174975186   整理番号：17A1273463

180nm Si-Ge BT技術における低近接位相雑音C級微分clapp VCOトポロジー【Powered by NICT】

A low close-in phase noise class-C differential clapp VCO topology in 180 nm Si-Ge HBT technology

著者 (2件)： Macera Giuseppe (Analog Devices Inc. Raheen, Limerick, Ireland) ,  Marotta Valerio (Tyndall National Institute, Cork, Ireland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISSC  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,5GHz付近で操作のための180nm Si-Ge BT技術で設計された新しい改良Clapp VCOトポロジーを報告した。設計したトポロジーは,直列同調共振器,出力周波数を調整するためのback-to-back直列バラクタ配列と第二高調波雑音成分を接地にシャントのために設計されたフィルタリングテール電流を使用した。3.3Vの電源電圧では,プロセス,電圧および温度(PVT),得られたVCOは,211dBに等しい非常に低い位相雑音(キャリア周波数からの100kHzオフセットで 113dBc/Hz),高同調範囲(25%),6mWの電力消費と同調範囲に基づく性能指数(FOM)を示し,挑戦的なVCOとして分類し,Si-Ge BT技術における更なる研究と実装のために考慮する機会を示唆した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 同調 ,  *雑音 ,  *位相雑音 ,  電圧 ,  共振器 ,  電力消費 ,  周波数 ,  性能指数 ,  *位相幾何学 ,  オフセット ,  可変容量ダイオード
準シソーラス用語： 同調範囲 ,  キャリア周波数 ,  電源電圧 ,  第二高調波 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発振回路  (NC05020Y) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  Ge ,  BT ,  位相雑音 ,  微分 ,  VCO ,  トポロジー