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J-GLOBAL ID：201702230175301786   整理番号：17A1554118

フェムト秒レーザアブレーションを用いた溶液処理した金属酸化物アレイと薄膜トランジスタのためのアニーリング【Powered by NICT】

Solution-processed metal oxide arrays using femtosecond laser ablation and annealing for thin-film transistors

著者 (7件)： Chen Cihai (Institute of Optoelectronic Display, National & Local United Engineering Lab of Flat Panel Display Technology, Fuzhou University, Fuzhou 350002, China. [e-mail]) ,  Chen Gengxu ,  Yang Huihuang ,  Zhang Guocheng ,  Hu Daobin ,  Chen Huipeng ,  Guo Tailiang
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 36  ページ： 9273-9280  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,フェムト秒(fs)レーザをパターン化金属酸化物薄膜トランジスタ(TFT)アレイの容易な作製のための金属酸化物活性層をアニールするために提案した。従来のフォトリソグラフィーとリフトオフ技術と比較して,fsレーザアブレーションは有意に非接触,高収率,高分解能などの利点のためにパターン形成プロセスを単純化した。尖ったエッジおよび小さな特徴サイズ(32μmまで)を持つ均一なパターン化アレイをフェムト秒レーザアブレーションを用いて達成された。さらに,fsレーザアニーリングも金属酸化物格子への前駆体の迅速な変換に適用した。結果はレーザ強度の増加は電荷キャリア移動度の向上とインジウム亜鉛酸化物(IZO)薄膜トランジスタ(TFT)のオン-オフ電流比の改善とに沿ったしきい値電圧の負のシフトをもたらすことを示した。X線光電子分光法(XPS)分析は,レーザ強度の増加はIZO膜内の弱いまたは準安定化学結合の破壊を促進し,水酸化関連(OH)種と金属酸化物組成と酸素空孔の増強(O_v)の除去をもたらすことを示しているキャリア輸送を容易にし,9.0cm~2V~ 1s~ 1までの平均移動度をもたらした。さらに,熱アニーリング(TA)と比較して,fsレーザアニーリングは熱収支を減少させ,OH関連種の脱ヒドロキシル挙動を実現するより効果的に,より高い電荷移動度をもたらした。これらの結果は,fsレーザアブレーションとアニーリングは有意に高分解能,高収率と低コストのようなそれらの利点に起因する金属酸化物TFTアレイの作製を単純化するための有望なツールを提供する可能性があることを明確に示した。,これらの技術はディスプレイデバイスと回路に使用するための大面積金属酸化物TFTアレイの作製に適用できる大きな可能性を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *金属酸化物 ,  X線光電子スペクトル ,  高分解能 ,  *レーザ ,  *薄膜トランジスタ ,  パターン形成 ,  キャリア移動度 ,  *レーザアブレーション ,  X線光電子分光法 ,  レーザアニーリング ,  酸化亜鉛 ,  *フェムト秒 ,  化学結合 ,  前駆体 ,  フォトリソグラフィー
準シソーラス用語： 閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： フェムト秒レーザアブレーション ,  溶液処理 ,  金属酸化物 ,  アレイ ,  薄膜トランジスタ ,  アニーリング