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J-GLOBAL ID：201702230184308968   整理番号：17A1716943

ニッケルをドープしたn型セレン化ビスマスの熱電性能の向上【Powered by NICT】

Enhanced thermoelectric performance of n-type bismuth selenide doped with nickel

著者 (4件)： Kulsi Chiranjit (Department of Physics, Indian Institute of Engineering Science and Technology, Shibpur, Howrah 711103, West Bengal, India) ,  Kargupta Kajari (Department of Chemical Engineering, Jadavpur University, Kolkata 700032, West Bengal, India) ,  Ganguly Saibal (Department of Chemical Engineering, BITS Pilani, K K Birla Goa Campus, NH 17B Bypass Road, Zuarinagar, Sancoale, Goa 403726, India) ,  Banerjee Dipali (Department of Physics, Indian Institute of Engineering Science and Technology, Shibpur, Howrah 711103, West Bengal, India)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 12  ページ： 1609-1615  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セレン化ビスマス(Bi_2Se_3)と遷移金属(ニッケル)ドープ(5および7.5mol%)Bi_2Se_3は材料の熱電特性の研究のためのソルボサーマル法によって調製した。形態学的特徴は,それぞれ非ドープおよびドープした試料のためのプレートおよびフレーク状構造を明らかにした。は,ドープした試料のためのDebye-Scherrer方程式を用いて得られた格子定数,Rietveld精密化データと微結晶サイズから計算したが減少した。ニッケルによるドーピングは電気伝導率を増加させ,純粋なBi_2Se_3よりも材料の熱電力と熱伝導率の両方を減少させた。ドープした試料の熱伝導率42%の減少は,純粋なBi_2Se_3と比較して(0.02 0.22)の一桁ニッケルをドープした(5%)材料の性能指数(ZT)を増加させた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 精密化 ,  性能指数 ,  *ドーピング ,  微結晶 ,  熱伝導率 ,  力率 ,  *ニッケル ,  格子定数 ,  フレーク ,  電気伝導率
準シソーラス用語： 熱電能 ,  形態学的特徴 ,  ソルボサーマル合成 ,  熱電特性 ,  *セレン化ビスマス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： セレン化ビスマス ,  ニッケルドーピング ,  力率 ,  熱伝導率 ,  の性能指数

分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： ニッケル ,  ドープ ,  セレン化ビスマス