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J-GLOBAL ID：201702230212381422   整理番号：17A1250319

エネルギー効率の良いバックアップおよび回復のための強誘電体FETを用いた不揮発性SRAMの設計【Powered by NICT】

Design of Nonvolatile SRAM with Ferroelectric FETs for Energy-Efficient Backup and Restore

著者 (10件)： Li Xueqing (School of Electrical Engineering and Computer Science, The Pennsylvania State University, University Park, PA, USA) ,  Ma Kaisheng (School of Electrical Engineering and Computer Science, The Pennsylvania State University, University Park, PA, USA) ,  George Sumitha (School of Electrical Engineering and Computer Science, The Pennsylvania State University, University Park, PA, USA) ,  Khwa Win-San (Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Sampson John (School of Electrical Engineering and Computer Science, The Pennsylvania State University, University Park, PA, USA) ,  Gupta Sumeet (School of Electrical Engineering and Computer Science, The Pennsylvania State University, University Park, PA, USA) ,  Liu Yongpan (Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Chang Meng-Fan (Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Datta Suman (Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA) ,  Narayanan Vijaykrishnan (School of Electrical Engineering and Computer Science, The Pennsylvania State University, University Park, PA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 7  ページ： 3037-3040  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性SRAM(nvSRAM)状態を貯蔵in situ不揮発性メモリ素子に電源を停止によるスタンドバイ時のエネルギー消費を低減するための有望な方法として出現した。しかし,磁気トンネル接合とReRAMにおける不揮発性バックアップに基づく既存nvSRAM解をバックアップした費用と静電流に起因するエネルギーを回復する。低下電圧待機揮発性SRAMと比較した場合,このコストは長い損益分岐時間(BET)が得られた。はこのような静電流を回避する完全にできることを強誘電体FET(FeFET)に基づくnvSRAMを提案した。簡単な微分バックアップとリストア回路を提案し,10nmノードでのバックアップと回復操作当たりサブfJ/cell全エネルギーを達成した。は,既存のReRAM nvSRAM溶液倍以上BET改善の百につながった。nvSRAMもこのようなメモリ論理相乗作用の将来FeFET設計の傾向を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  *SRAM ,  記憶装置 ,  *エネルギー効率 ,  *揮発性 ,  不揮発性メモリ ,  相乗作用 ,  *バックアップ ,  エネルギー消費 ,  電流 ,  *非揮発性 ,  全エネルギー
準シソーラス用語： ReRAM ,  磁気トンネル接合 ,  *FeFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： エネルギー効率 ,  バックアップ ,  回復 ,  強誘電体FET ,  不揮発性 ,  SRAM ,  設計