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J-GLOBAL ID:201702230358321846   整理番号:17A0398691

サブ表在性グラファイト微小電極によるダイヤモンド中の深いNV中心の電気的制御【Powered by NICT】

Electrical control of deep NV centers in diamond by means of sub-superficial graphitic micro-electrodes
著者 (17件):
資料名:
巻: 113  ページ: 76-86  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0270B  ISSN: 0008-6223  CODEN: CRBNA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ダイヤモンド中の窒素-空格子点(NV)中心の電荷状態の制御は,それらの量子光学特性の安定化のために非常に重要である,量子計算への量子センシングの範囲の応用。本研究では埋込み注入グラファイト微小電極は6MeV C~3+走査マイクロビームによるバルクダイヤモンドで作製した。電極は電極間ギャップ領域に位置する亜表層NV中心アンサンブルの負(NV~ )と中性(NV~0)電荷状態の相対的ポピュレーションの変化を制御するために利用した。光ルミネセンススペクトルは,NV~0電荷状態を犠牲にしてNV~-集団における40%まで電気的増加を示し,350Vより小さい印加バイアスで注入電流から線形依存性を有する,NV部位での電子捕獲の結果として解釈した。~350Vバイアスで急激な電流増加はNV~0中心からの強いエレクトロルミネセンスをもたらし,563.5nmと580nmで二スペクトル鋭い発光線,光学励起下で可視と自己格子間欠陥によるものではなかった。これらの結果は,ダイヤモンドバルクに位置するNV中心の電荷状態の電気制御,より長いスピンコヒーレンス時間によって特徴づけられる新しい可能性を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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炭素とその化合物 

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