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J-GLOBAL ID：201702230404706557   整理番号：17A1352814

シリコンをベースとする太陽電池のための多層グラフェンのドーピング【Powered by NICT】

Doping of multilayer graphene for silicon based solar cells

著者 (6件)： Lancellotti Laura (ENEA, Portici Research Center, P.le E. Fermi 1, 80055 Portici, Naples, Italy) ,  Bobeico Eugenia (ENEA, Portici Research Center, P.le E. Fermi 1, 80055 Portici, Naples, Italy) ,  Castaldo Anna (ENEA, Portici Research Center, P.le E. Fermi 1, 80055 Portici, Naples, Italy) ,  Veneri Paola Delli (ENEA, Portici Research Center, P.le E. Fermi 1, 80055 Portici, Naples, Italy) ,  Lago Emanuele (Istituto Italiano di Tecnologia, Graphene Labs, I-16163 Genova, Italy) ,  Lisi Nicola (ENEA, Casaccia Research Center, I-00123 Rome, Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICCEP  ページ： 509-512  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： graphene/nシリコンSchottky障壁太陽電池に及ぼす硝酸塩イオンと塩素アニオンによるグラフェンドーピングの効果,硝酸と塩化チオニル蒸気への曝露を試験した。両方の場合では,グラフェンドーピングプロセスは電力変換効率(PCE)に有益な効果を有し,塩化チオニルドーピングを硝酸で得られたものよりもより良い改善を示した。1.99%の初期PCEを有する太陽電池は,硝酸ドーピング処理により4.02%に増加した1.49%の初期PCEを有する太陽電池は,塩化チオニルドーピング処理により4.32%に増加した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： イオン ,  塩化チオニル ,  塩素 ,  *ケイ素 ,  Schottky障壁 ,  アニオン ,  *太陽電池 ,  硝酸塩 ,  硝酸
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  電力変換効率 ,  *多層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  太陽電池 ,  多層グラフェン ,  ドーピング