抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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メムリスタは近い将来メモリアレイとしてSRAMを置き換えるために使用される新規デバイスである。memristorbased記憶に及ぼす放射の影響を調べた。さらに,本研究では,α粒子に起因するソフトエラーまたは解析モデルを用いてHPメモリスタにおける中性子走向を引き起こす臨界電荷を計算することを目的とした。これらのモデルは,Cadence Spectreシミュレーションを用いて検証した。チームモデルはモデル導出と検証で利用されている。メモリスタに及ぼす放射線の影響を研究SRAMメモリメモリスタベースのメモリから移動段階で非常に重要である。memristorbasedメモリアレイ設計者はそのメモリ設計へのソフトエラーの影響を予測し,これらのソフトエラーを軽減するための方法を見出す助けとなるであろう。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】