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J-GLOBAL ID：201702230590007765   整理番号：17A1365677

アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノンからのテラヘルツ電磁波減衰過程に対する光生成キャリアの影響

著者 (3件)： 竹内日出雄 (大阪市大 工) ,  住岡隆弘 (大阪市大 工) ,  中山正昭 (大阪市大 工)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 72  号： 2  ページ： ROMBUNNO.23pPSA-46  発行年： 2017年09月25日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  ホモエピタクシー ,  *ヒ化ガリウム ,  *フォノン ,  テラヘルツ波 ,  サブミリ波 ,  減衰 ,  *プラズモン ,  縦光学フォノン
準シソーラス用語： 放射減衰

分類 (2件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  エピタキシャル ,  縦光学フォノン ,  テラヘルツ電磁波 ,  減衰 ,  過程 ,  光生成 ,  キャリア