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J-GLOBAL ID：201702230599974178   整理番号：17A1009958

原子スケールシミュレーションによる選択的Siナノ酸化の理解に向けて

Toward the Understanding of Selective Si Nano-Oxidation by Atomic Scale Simulations

著者 (3件)： KHALILOV Umedjon (Univ. Antwerp, Antwerp, BEL) ,  BOGAERTS Annemie (Univ. Antwerp, Antwerp, BEL) ,  NEYTS Erik C. (Univ. Antwerp, Antwerp, BEL)
資料名： Accounts of Chemical Research  (Accounts of Chemical Research)
巻： 50  号： 4  ページ： 796-804  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： B0966A  ISSN： 0001-4842  CODEN： ACHRE4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質のSiゲート酸化膜の合成はナノ秒の時間スケールで行われる。この過程を反応性分子動力学およびハイブリッドMD/モンテカルロシミュレーションを用いた計算の観点から論じた。超高温成長は二種類あり,超薄酸化物の厚さは,T=600K未満では入射酸素種の運動エネルギー,T以上の温度では入射エネルギーおよび成長温度,に依存している。酸化物のエネルギー,酸化温度および表面の曲率を正確に調整することによって,良質なSiO₂の厚さの制御が可能であることが分かった。

シソーラス用語： *ナノ結晶 ,  *二酸化ケイ素 ,  *酸化 ,  *長さ ,  シミュレーション ,  計算機シミュレーション ,  超薄膜 ,  *薄膜成長 ,  膜厚
準シソーラス用語： モンテカルロシミュレーション ,  *原子スケール ,  分子動力学シミュレーション

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子スケール ,  シミュレーション ,  Si ,  酸化 ,  理解