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J-GLOBAL ID：201702230612302063   整理番号：17A1267824

流体力学近似におけるトランジスタの相補性バイポーラ対の数値シミュレーション【Powered by NICT】

Numerical simulation of the complementary bipolar pair of transistors in the hydrodynamic approximation

著者 (3件)： Hrapov Mikhail O. (Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia) ,  Gridchin Victor A. (Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia) ,  Kalinin Sergey V. (Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDM  ページ： 34-36  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Sinopsys社のTCAD Sentaurusソフトウェアを用いてNPNとPNPトランジスタの縦型バイポーラの数値シミュレーションを考察した。この対はPエピタキシャル層を持つ相補的技術で製作した。 40- 60Vの破壊電圧を持つバイポーラ構造における流体力学的モデルの適用性の評価を得た。テスト構造の実験データと流体力学的と熱力学的近似における物理的パラメータと特性の比較を示した。結果実用的な目的のためにTCADモデリングの十分な精度を示し得る。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 適応性 ,  *相補性 ,  *シミュレーション ,  *流体力学 ,  テスト構造 ,  *近似法 ,  熱力学 ,  ソフトウェア ,  流体力学的模型 ,  *トランジスタ ,  モデリング
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  エピタキシャル層 ,  TCAD ,  *数値シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 流体力学 ,  近似 ,  トランジスタ ,  相補性 ,  バイポーラ ,  数値シミュレーション