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J-GLOBAL ID：201702230646001020   整理番号：17A1262735

統合捕獲電荷と利得補償を用いた32×32ISFET化学センサアレイ【Powered by NICT】

A 32 $¥times$ 32 ISFET Chemical Sensing Array With Integrated Trapped Charge and Gain Compensation

著者 (3件)： Hu Yuanqi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Centre for Bio-Inspired Technology, Institute of Biomedical Engineering, Imperial College London, London, U.K.) ,  Moser Nicolas (Department of Electrical and Electronic Engineering, Centre for Bio-Inspired Technology, Institute of Biomedical Engineering, Imperial College London, London, U.K.) ,  Georgiou Pantelis (Department of Electrical and Electronic Engineering, Centre for Bio-Inspired Technology, Institute of Biomedical Engineering, Imperial College London, London, U.K.)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 17  号： 16  ページ： 5276-5284  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,実時間イオンイメージングのためのシステムオンチップCMOSベースの32×32イオン感応性電界効果トランジスタ(ISFET)を提案した。未改質の0.35μm CMOS技術で作製した,ISFETセンサアレイは,画素トポロジー,望ましくないトラップされた電荷誘起dcオフセットを除去するロバストに不動態化容量と漏れ電流のフローティングゲートリセットとディジタル相関二重サンプリングによる信号減衰を改善するための容量性フィードバックを利用したに基づいている。自動利得キャリブレーション(A GC)は実時間キャリブレーションを行い,99%の精度で同じ利得を持つことを全てのセンサを保証するために使用されていると,利得は多重金型で測定した場合に適用した後のすべてのこれらの機構を組み合わせた14.3mVの平均ピクセル電圧変動を保証する。A GCを,10.2mWの全電力消費が完全アレイはpHの実時間イオンイメージングが可能である,39.6mV/pHの固有感度と9.3フレーム/秒の走査速度を実験的に示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不動態化 ,  *ISFET ,  *電荷 ,  電圧変動 ,  漏れ電流 ,  *利得補償 ,  *利得 ,  オフセット ,  CMOS ,  電力消費 ,  画素 ,  *センサアレイ ,  ロバスト性
準シソーラス用語： イオンイメージング ,  実時間 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： パターン認識  (JE07000S) ,  変復調回路  (NC05050F) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  輸送と業務  (TC01030N) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 統合 ,  捕獲電荷 ,  利得補償 ,  化学センサ ,  アレイ