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J-GLOBAL ID：201702230813432739   整理番号：17A1488558

原子層沈着は高誘電率(κ)ZrAlO_xゲート絶縁体高性能ZnSnO薄膜トランジスタを可能にする蒸着した【Powered by NICT】

Atomic layer deposition deposited high dielectric constant (κ) ZrAlO_x gate insulator enabling high performance ZnSnO thin film transistors

著者 (9件)： Huang Chuan-Xin (School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Jiading, Shanghai 201800, People’s Republic of China) ,  Li Jun (School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Jiading, Shanghai 201800, People’s Republic of China) ,  Zhong De-Yao (School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Jiading, Shanghai 201800, People’s Republic of China) ,  Zhao Cheng-Yu (School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Jiading, Shanghai 201800, People’s Republic of China) ,  Zhu Wen-Qing (School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Jiading, Shanghai 201800, People’s Republic of China) ,  Zhang Jian-Hua (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications, Ministry of Education, Shanghai University, Shanghai 200072, People’s Republic of China) ,  Jiang Xue-Yin (School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Jiading, Shanghai 201800, People’s Republic of China) ,  Zhang Zhi-Lin (School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Jiading, Shanghai 201800, People’s Republic of China) ,  Zhang Zhi-Lin (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications, Ministry of Education, Shanghai University, Shanghai 200072, People’s Republic of China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 109  ページ： 852-859  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高κZrAlO_xゲート絶縁体はシリコン上に原子層堆積により堆積し,種々の分析技術によって特性化した。すれすれ入射X線回折(GIXRD)はZrAlO_x薄膜は非晶質構造を示すことを検証した。X線光電子分光法(XPS)はZrAlO_x相の形は関連する素子の電気的特性と安定性を改善することを確認した。ZrAlO_x薄膜は金属-絶縁体-半導体構造に集積化された電気的能力をチェックした。はすべて約2.0MV/cmの高電場下で低い漏れ電流密度(約1×10~ 8cm~2)を示し,周波数の関数として安定な容量を示した。それらの関連したZTO TFTは高周波スパッタリングにより堆積し,正バイアスストレスと電気的性質下での安定性に及ぼすZrAlO_x厚の影響を調べた。130nm ZrAlO_xベースTFTを最適化電気特性(移動度,しきい値電圧,サブしきい値電圧スイングを示し,オン-オフ比は~/V,0.3V12.5cm,0.15dec.と8×10~7と正のバイアス電圧応力下で2.5Vのしきい電圧シフトと良好な安定性である。130nm ZrAlO_xを基本とするTFTの優れた特性は,界面トラップ状態と表面散乱中心に起因していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ゲート絶縁膜 ,  移動度 ,  MIS構造 ,  RFスパッタリング ,  *薄膜トランジスタ ,  キャラクタリゼーション ,  X線光電子分光法 ,  電圧 ,  電気特性 ,  電気的性質 ,  ケイ素
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  バイアス電圧 ,  サブ閾値 ,  閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 原子層堆積 ,  ZrAlO_xゲート絶縁体 ,  ZTO TFT ,  PBS安定性

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層 ,  沈着 ,  高誘電率 ,  ゲート絶縁体 ,  高性能 ,  薄膜トランジスタ ,  蒸着