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J-GLOBAL ID：201702230825905223   整理番号：17A0551312

MoO₃ナノ粒子埋め込み型Alq₃構造に基づく双安定有機メモリ素子

Organic bistable memory devices based on MoO₃ nanoparticle embedded Alq₃ structures

著者 (3件)： ABHIJITH T (National Inst. of Technol. Calicut, Kerala, IND) ,  KUMAR T V Arun (National Inst. of Technol. Calicut, Kerala, IND) ,  REDDY V S (National Inst. of Technol. Calicut, Kerala, IND)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 9  ページ： 095203,1-6  発行年： 2017年03月03日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機半導体メモリ素子が,軽量,低コスト,機械的可撓性,低消費電力などの利点から,電子デバイスの次世代候補として浮上している。本稿では,電荷捕獲中心として様々な厚みのMoO₃層をAlq₃基材中の異なる位置に設けたメモリ素子を製作し,そのスイッチング特性,デバイス安定性,および再書き込み/消去特性を評価した。オン状態およびオフ状態は,電圧ストレステストに対して4500秒以上の間,安定であった。書込み電圧を4V,消去電圧を8Vとして,オン状態とオフ状態を繰り返し切り替えることができた。オン/オフ電流比は,MoO₃層の厚みが5nmのとき最大となり,1000以上となった。Alq₃基材中におけるMoO₃層の厚みとその位置が,性能に対して重要な役割を果たすことを示した。デバイスのスイッチング機構を,エネルギーバンドモデルを用いて説明することができた。

シソーラス用語： *酸化モリブデン ,  ナノ粒子 ,  *記憶素子 ,  有機半導体 ,  柔軟性
準シソーラス用語： 三酸化モリブデン ,  *有機メモリ素子 ,  可撓性

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ粒子 ,  埋め込み ,  双安定 ,  有機メモリ素子