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J-GLOBAL ID：201702230838392932   整理番号：17A1271126

GaNH EMTと回路における雑音【Powered by NICT】

Noise in GaN HEMTs and circuits

著者 (5件)： Rudolph Matthias (Ulrich L. Rohde Chair of RF and Microwave Techniques, Brandenburg University of Technology, Cottbus, Germany) ,  Andrei Cristina (Ulrich L. Rohde Chair of RF and Microwave Techniques, Brandenburg University of Technology, Cottbus, Germany) ,  Doerner Ralf (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik (FBH), Berlin, Germany) ,  Chevtchenko Serguei A. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik (FBH), Berlin, Germany) ,  Heinrich Wolfgang (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik (FBH), Berlin, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICNF  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNH EMTは電力応用におけるGaAs技術より性能が優れていることが知られているが,それらの雑音性能はあまり注目を作成した。最近のみ,結果は低雑音性能の点で競合することをGaNのための発表された。本論文では,低雑音性能に関するGaNH EMT技術の最適化を検討した経験的に自身の測定に基づいており,文献からのデータ。最後に,低雑音増幅器性能及び耐久性の現状を簡単に考察した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 雑音特性 ,  耐久性 ,  *雑音 ,  *窒化ガリウム ,  電力応用 ,  最適化 ,  ヒ化ガリウム ,  低雑音増幅器

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： EMT ,  雑音