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J-GLOBAL ID:201702230901702084   整理番号:17A1510378

PEALDプロセスにより形成したAl_2O_3層の障壁特性を強化するための高分子基板の表面改質【Powered by NICT】

Surface modification of polymeric substrates to enhance the barrier properties of an Al2O3 layer formed by PEALD process
著者 (4件):
資料名:
巻: 50  ページ: 239-246  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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酸化アルミニウム(Al_2O_3)層を低周波プラズマ増強原子層堆積(PEALD)法による各種高分子基板上に堆積した。ポリエチレンナフタレート(PEN),ポリエチレンテレフタレート(PET)及びポリエーテルスルホン(PES)は,障壁膜の基質として試験した。各基板は,基板へのAl_2O_3層形成と浸透に及ぼす影響,バリア特性を大きく影響をそれ自身の特性を持っている。堆積工程の前に,高分子基板は,アルゴンと酸素プラズマで前処理し,表面エネルギーは極性基の形成に起因して安定した。飛行-二次イオン質量分析(ToF SIMS)によるAl_2O_3層のキャラクタリゼーションは,プラズマ処理がAl_2O_3層中のOH~ のレベルを低下させることを明らかにした。X線光電子顕微鏡(XPS)はAl_2O_3層のA12pピークはプラズマ処理による高い内殻準位にシフトしたことを確認した。プラズマ処理した表面上の層の密度は未処理表面のそれよりも大きかった。表面のプラズマ処理はAl_2O_3層を形成し,これが障壁性能を大きく改善に顕著な影響を持つことが分かった。プラズマ処理およびPEALDプロセスによってほとんど影響を受けなかった光透過率。酸素プラズマ前処理後,プラズマ処理されたPEN基板上に堆積したAl_2O_3層のWVTRは7.2×10~ 4g/m~2日であり,これは未処理基板のそれより有意に低かった前後であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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発光素子  ,  トランジスタ  ,  高分子固体の物理的性質 
タイトルに関連する用語 (5件):
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