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J-GLOBAL ID:201702230939682259   整理番号:17A0842567

SnO2量子ドットの構造,光学及び磁気特性

Structural, optical and magnetic properties of SnO2 quantum dot
著者 (4件):
資料名:
巻: 28  号: 11  ページ: 7713-7723  発行年: 2017年06月 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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セチルトリブチルアンモニウムブロマイド(CTAB)の助けを借りたマイクロ波照射技術によって,高結晶質ルチル型ナノサイズ酸化スズSnO2ナノ粒子を合成した。界面活性剤CTAB濃度が0.1,0.25,0.4及び0.5の中で,0.1濃度のCTABが,最小ナノサイズの粒子を達成することに適している。結晶サイズをDebye-Scherer式から計算し,これによって,SnO2正方晶ルチル型ナノ構造の形成が示唆された。ナノ粒子モフォロジーをSEMによって観察し,殆どのCTAB非被覆及び被覆SnO2ナノ粒子は球形状であることが分る。TEMから,CTAB非被覆ナノ粒子は,~13nmの平均粒子サイズを持つ準球状であり,CTAB被覆ナノ粒子は,直径が3から8nmの範囲の平均結晶サイズを持つ良く分散した球状粒子であることが分る。この結果は,被覆試料に対してXRDパターンから得られた~4nmの粒子サイズと良く一致する。光学吸収と蛍光分光分析を用いて,光学研究を行った。0.1CTAB被覆SnO2ナノ粒子のバンドギャップエネルギーは,酸素欠陥のために非被覆SnO2ナノ粒子よりも低い。量子ドット(QD)(被覆試料)の蛍光発光スペクトルから,青色領域における410nm(3eV)の強い発光は,酸素空孔(Vo)の存在を示す。0.1CTAB被覆SnO2の電子常磁性共鳴(EPR)信号強度は,非被覆SnO2よりも高い。被覆試料の発光とEPR分光法測定から得られたg因子1.998から,高濃度の酸素Vo欠陥を確認する。非被覆SnO2ナノ粒子は,常磁性挙動を示し,0.1CTAB SnO2ナノ粒子は,室温で強磁性を示す。このことから,高濃度のVo+欠陥が被覆試料の室温強磁性の起源であることを確認する。そこで,Vo+欠陥を修正することによって,SnO2 QDの磁気及び光学特性を制御できる可能性があり,そのことは,スピトロニクス及びフォトニックデバイスに価値があると結論づける。
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酸化物薄膜 
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