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J-GLOBAL ID：201702230942414587   整理番号：17A0551113

希土類元素存在下でのSiC/SiO₂界面での酸窒化の促進

著者 (3件)： 作田良太 (東大 大学院工学系研究科) ,  平井悠久 (東大 大学院工学系研究科) ,  喜多浩之 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.17p-301-7  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  *窒化 ,  酸素 ,  *窒化層 ,  絶縁膜 ,  一酸化窒素 ,  界面 ,  成長速度 ,  酸化ランタン ,  *MOSFET ,  薄膜 ,  薄膜成長 ,  *酸窒化 ,  酸窒化膜 ,  *改変

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 希土類元素 ,  SiC ,  SiO2 ,  界面 ,  酸窒化 ,  促進