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J-GLOBAL ID：201702230994860444   整理番号：17A1724355

超高感度圧電に及ぼすけい素フラッピングモードMEMS横方向磁場磁力計【Powered by NICT】

An ultra-sensitive piezoelectric-on-silicon flapping mode MEMS lateral field magnetometer

著者 (2件)： Ghosh Sagnik (Department of Electronic Engineering City University of Hong Kong Kowloon, Hong Kong) ,  Lee Joshua E.-Y. (State Key Laboratory of Millimeter Waves, Department of Electronic Engineering, City University of Hong Kong Kowloon, Hong Kong)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EFTF IFCS  ページ： 502-505  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共振MEMS薄膜圧電に及ぼすけい素(TPoS)CMOS互換磁力計における圧電効果を用いた横方向磁場のセンシングを実験的に実証した。提案した面外フラッピング共鳴モードは,デバイスの応答性を向上させるために圧電窒化アルミニウム(AlN)変換器を介して強い電気機械結合を提供する大気圧で動作する。応答性は,外部磁場強度に対する出力運動電流の比,デバイスの入力励起電流の正規化として定義される。159kHzの共振周波数,にもかかわらずも周囲条件下で526の空気ダンプした品質因子で装置を動作するが,12156ppm/Tの応答性を実験的に測定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *磁力計 ,  *圧電気 ,  窒化アルミニウム ,  *MEMS ,  変換器 ,  *フラッピング ,  外部磁場 ,  *磁場 ,  共振周波数 ,  共振 ,  電流 ,  応答特性
準シソーラス用語： 品質因子 ,  共振モード ,  圧電効果 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  共振器  (NC04050Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高感度 ,  圧電 ,  けい素 ,  フラッピング ,  MEMS ,  磁力計