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J-GLOBAL ID：201702231021525093   整理番号：17A1397926

電場は半導体量子ドットにおける光利得を支援【Powered by NICT】

Electric field aided optical gain in semiconductor quantum dots

著者 (2件)： Guin Shampa (Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, 92, A.P.C Road, Kolkata, India) ,  Das Nikhil Ranjan (Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, 92, A.P.C Road, Kolkata, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICCSS  ページ： 24-27  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,量子ドット集団の吸収係数,発光係数と材料利得に及ぼす外部電場の影響を,Fermi黄金則を用い,ドットサイズの偏差による状態密度のGauss分布を考慮して研究した。研究は,電場が光学遷移だけでなく,増強された光利得の赤方偏移を引き起こすことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *利得 ,  正規分布 ,  *量子ドット ,  *電場 ,  吸収係数 ,  赤方偏移 ,  発光 ,  状態密度
準シソーラス用語： 光学遷移 ,  Fermi黄金則 ,  外部電場 ,  *光利得 ,  *半導体量子ドット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電場 ,  半導体量子ドット ,  光利得 ,  支援