文献

J-GLOBAL ID：201702231045118023   整理番号：17A0635414

SrTiO₃ナノ層により,BaZrO₃添加YBa₂Cu₃O_7-x薄膜中に誘起された,相乗的ピン止め中心

Synergetic pinning centres in BaZrO₃-doped YBa₂Cu₃O_7-x films induced by SrTiO₃ nano-layers

著者 (10件)： CRISAN A (National Inst. for Materials Physics Bucharest, Magurele, ROM) ,  CRISAN A (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  DANG V S (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  DANG V S (VNU Hanoi Univ. Sci., Hanoi, VNM) ,  MIKHEENKO P (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  MIKHEENKO P (Univ. Oslo, Oslo, NOR) ,  IONESCU A M (National Inst. for Materials Physics Bucharest, Magurele, ROM) ,  IONESCU A M (Univ. Bucharest, Bucharest-Magurele, ROM) ,  IVAN I (National Inst. for Materials Physics Bucharest, Magurele, ROM) ,  MIU L (National Inst. for Materials Physics Bucharest, Magurele, ROM)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 30  号： 4  ページ： 045012,1-7  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： YBa₂Cu₃O_7-x(YBCO)膜の長尺の被覆超伝導体としての大規模電力応用は,厚い膜を低コストで作製する方法の開発に掛かっている。YBCOナノ構造薄膜における,臨界電流密度(J_c)の増大と磁場方向に依存する特異な振舞いを報告する。SrTiO₃(STO)絶縁層(YBCOの2層を隔てる)の厚さは15か30か45nmである。c軸方向に1T以下の磁場を印加した時の,最高のJ_cの改善値は,30nm厚さのSTOを伴う2重層で得られ,STOの厚さの影響は小さかった。今回の厚いナノ構造膜ではab平面方向の磁場中でJ_cの大きな改善が見られた。BaZrO₃(BZO)ナノロッド,ab平面欠陥,BZOとY₂O₃のナノ粒子の存在が,透過型電子顕微鏡(TEM)像から観測された。TEM像から明らかになる人工ピン止め中心の特異性により,J_cのab平面に沿った磁場依存性の分離した2つのピークが説明される。

シソーラス用語： *イットリウムバリウム銅酸化物 ,  *超伝導薄膜 ,  *添加物効果 ,  *ジルコニウム酸塩 ,  バリウム化合物 ,  *磁束ピン止め ,  *臨界電流密度 ,  *チタン酸ストロンチウム ,  *層 ,  *多層膜 ,  膜厚 ,  ナノロッド ,  磁場効果
準シソーラス用語： *絶縁層

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ層 ,  薄膜 ,  誘起 ,  ピン止め中心