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J-GLOBAL ID：201702231064458871   整理番号：17A1058615

高作動圧力プラズマ増強化学蒸着を用いた室温で蒸着した酸化けい素膜:O_2流速の影響【Powered by NICT】

Silicon oxide film deposited at room temperatures using high-working-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition: Effect of O₂ flow rate

著者 (5件)： Lee Young-Soo (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 133-719, Republic of Korea) ,  Lee SeungHwan (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 133-719, Republic of Korea) ,  Kwon Jung-Dae (Advanced Functional Thin Films Department, Korea Institute of Materials Science, Changwon 641-831, Republic of Korea) ,  Ahn Ji-Hoon (Department of Electronic Material Engineering, Korea Maritime and Ocean University, 727 Taejong-ro, Yeongdo-gu, Busan 49112, Republic of Korea) ,  Park Jin-Seong (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 133-719, Republic of Korea)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 13  ページ： 10628-10631  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化けい素膜は,前駆体及び反応物としてヘキサメチルジシロキサンとO_2/Heプラズマを用いた高圧力プラズマ増強化学蒸着により堆積した。O_2流速はプロセス中に増加するにつれて,O_2とHeのプラズマ密度はHeの分圧の低下,酸化けい素膜におけるO/Siの組成に影響したのために減少した。SiO_2/SiOの組成比は高い動作圧力プラズマ増強化学蒸着プロセス中のO_2流条件によって調整する事ができることが分かった。さらに,水蒸気透過率は酸化けい素膜における組成変化のためO_2流量の増加とともに減少することが観察された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： プラズマ密度 ,  *流速 ,  *プラズマ ,  *プラズマCVD ,  分圧 ,  前駆体 ,  流量 ,  高圧 ,  薄膜 ,  ヘリウム ,  *酸化ケイ素
準シソーラス用語： 組成変化 ,  水蒸気透過速度 ,  反応物 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： :酸化けい素 ,  B高作用圧力プラズマ増強化学蒸着 ,  C薄膜 ,  D水透過特性

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

物質索引 (1件)： ヘキサメチルジシロキサン

タイトルに関連する用語 (6件)： 作動圧力 ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  室温 ,  蒸着 ,  酸化けい素膜 ,  流速