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J-GLOBAL ID:201702231119079739   整理番号:17A1550613

RFスパッタリングにより蒸着したZnS薄膜の物理的性質の研究【Powered by NICT】

Study of the physical properties of ZnS thin films deposited by RF sputtering
著者 (7件):
資料名:
巻: 71  ページ: 7-11  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ZnSは多くの用途に採用された多用途で,豊富で,環境に優しい半導体材料である。本論文では,ZnS薄膜は最も簡単で拡張可能な真空法,室温高周波スパッタリング技術であることの一つにより成長させた。原子間力顕微鏡,X線回折,吸収および光ルミネセンス分光法により行ったコンパクトで低欠陥ZnS層を得るために必要な成長条件を同定した広範な特性化,多くの応用で必要とされた。最適化薄膜は文献に関して,カルコゲン化物薄膜太陽電池における光インタフェイスと代替バッファ層に特に適したと非常に低い表面粗さをもつナノ結晶ZnSで構成されている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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