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J-GLOBAL ID：201702231149871021   整理番号：17A1355029

逆バイアス炭化けい素Schottky障壁ダイオードの熱暴走の研究【Powered by NICT】

Investigation of thermal runaway of reverse-biased silicon carbide schottky barrier diode

著者 (6件)： Nakagawa M. (Research and development division, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan) ,  Mori S. (Research and development division, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan) ,  Nanen Y. (Research and development division, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan) ,  Aketa M. (Research and development division, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan) ,  Asahara H. (Research and development division, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan) ,  Nakamura T. (Research and development division, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMFEDK  ページ： 90-91  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCデバイスはSiデバイスよりもはるかに高い温度で動作することが期待される。しかし,市販のSiCデバイスは温度とほぼ同じSi素子に限られている。高温でSiCデバイスを操作するためには,パッケージ技術を改善し,高温用SiCデバイスを適切に設計する必要がある。本研究では,SiC-SBDの熱暴走に対するロバスト性を評価した。ヒートシンクを用いたSiC-SBDは,熱的に安定であり,熱暴走を起こさずT_a=250°Cでも動作可能である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ロバスト性 ,  ヒートシンク ,  *炭化ケイ素 ,  ケイ素 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  高温
準シソーラス用語： *熱暴走 ,  *逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： ダイオード  (NC03050R) ,  超伝導磁石  (BM04042N) ,  電力変換器  (NB08030B) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  超伝導材料  (BM04041W)

タイトルに関連する用語 (5件)： バイアス ,  炭化けい素 ,  Schottky障壁ダイオード ,  熱暴走 ,  研究