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J-GLOBAL ID:201702231230319429   整理番号:17A0218726

Ru(10<span style=text-decoration:overline>1</span>10)上のグラフェンナノ構造体のボトムアップ作製

Bottom-up fabrication of graphene nanostructures on Ru(10<span style=text-decoration:overline>1</span>10)
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資料名:
巻: 27  号:ページ: 055602,1-9  発行年: 2016年02月05日 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,走査型トンネル顕微鏡(STM)および密度汎関数理論(DFT)計算により,前駆体として10,10’-ジブロモ-9,9’-ビアントラセン(DBBA)を用いたRu(10<span style=text-decoration:overline>1</span>10)基板上のグラフェンナノ構造体のボトムアップ作製を調べた。STM実験は,すべてのN=7グラフェンナノリボン(GNR)が,Ru(10<span style=text-decoration:overline>1</span>10)表面の[1<span style=text-decoration:overline>2</span>10]方位に沿って整列した長軸を有することを示す。試料をアニーリングすると,GNRの横方向の接着が生じる。そして,著者らは,さまざまな配向およびアームチェアおよびジグザグ境界を有するリボン様グラフェンナノフレークを観測した。基板の[1<span style=text-decoration:overline>2</span>10]方向に対して0度および30度の回転角度を有するグラフェンオーバレーヤにより,強いモアレパターンが形成される。また,著者らは,Ru(10<span style=text-decoration:overline>1</span>10)上のグラフェンのボトムアップ成長の挙動をよりよく理解するために,DFT計算を採用した。グラフェン層の回転角度に対する吸着エネルギーは,グラフェンオーバレーヤの回転角度30度で最大値を示した。一方,回転角度約21度で最小値を示した。さらに,30度の配向を有するグラフェンオーバレーヤに対して,グラフェンとRuの射影状態密度は有意な重なりを示した。これら結果は,GNR/グラフェンと基板の相互作用がグラフェンオーバレーヤの配向およびRu(10<span style=text-decoration:overline>1</span>10)上のグラフェンの成長を制御することを示唆する。
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半導体薄膜 
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